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• 木曜日, 5月 10th, 2012

2012年第1四半期のハイライトは以下のとおりです。

売上高は7億4,440万USドル
GAAPおよび非GAAPベースの粗利益率が32.9%
GAAPベースの一株当たり純利益(完全希薄化後)は0.06USドル
非GAAPベースの一株当たり利益(完全希薄化後)は0.12USドル

米国アリゾナ州フェニックス - 2012年5月10日 - オン・セミコンダクター・コーポレーション(Nasdaq: ONNN)は本日、2012年第1四半期の売上高が前期比約3%減の7億4,440万USドルであったことを発表しました。2012年第1四半期のGAAPベースの純利益は7,480万USドル、完全希薄化後一株当たり利益は0.16USドルでした。2012年第1四半期のGAAPベースの純利益は、リストラに伴う費用およびその他の費用を含む特別項目の2,930万USドルによるものでした。すべての特別項目の詳細は添付の明細に記載されています。

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• 木曜日, 5月 10th, 2012

2012年第1四半期のハイライトは以下のとおりです。

売上高は7億4,440万USドル
GAAPおよび非GAAPベースの粗利益率が32.9%
GAAPベースの一株当たり純利益(完全希薄化後)は0.06USドル
非GAAPベースの一株当たり利益(完全希薄化後)は0.12USドル

米国アリゾナ州フェニックス - 2012年5月10日 - オン・セミコンダクター・コーポレーション(Nasdaq: ONNN)は本日、2012年第1四半期の売上高が前期比約3%減の7億4,440万USドルであったことを発表しました。2012年第1四半期のGAAPベースの純利益は7,480万USドル、完全希薄化後一株当たり利益は0.16USドルでした。2012年第1四半期のGAAPベースの純利益は、リストラに伴う費用およびその他の費用を含む特別項目の2,930万USドルによるものでした。すべての特別項目の詳細は添付の明細に記載されています。

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• 火曜日, 5月 08th, 2012

Power Conversion Intelligent Motion (PCIM), ニュールンベルク, ドイツ – 2012年5月5日 – エネルギー効率の高い電子機器のための高性能シリコン・ソリューションを提供する最先端のサプライヤーであるオン・セミコンダクター(Nasdaq: ONNN)は、今年のヨーロッパのPCIMショウにおいてインテリジェント・パワーモジュール(IPM)のデモンストレーションを行います。当社のブースにおいて専門家が、技術、デザイン・サポート、生産能力について説明致します。

当社の絶縁金属基板技術(IMST) と、幅広いパワー・ソリューションのポートフォリオおよび長年にわたり蓄積された高効率のパワーマネージメントにおける専門技術を組み合わせることにより、オン・セミコンダクターは革新的なインテリジェント・パワーモジュールとパワー・インバータだけでなく、デザイン・サポートと生産能力も提供致します。これらのIPMソリューションは、白物家電、ソーラーパワー、ハイブリッド自動車におけるパワー・アプリケーションのコスト効率を高めます。

オン・セミコンダクターの300W(ワット)から5kW(キロワット)の高効率なパワーモジュールの範囲の幅広いポートフォリオは、インバータ、ブーストドライバ、モータドライバを含む、他に類を見ない幅広いお客様のアプリケーションへの対応を可能にします。一連の特徴とインテリジェントな機能を融合するコンパクトな設計とフットプリントにより、お客様は最終製品において、設計の簡易化、基板スペースの節約、信頼性の向上、および部品点数とトータルコストの削減が可能です。

「先進的なパワー・ディスクリート製品の設計と製造における経験と専門知識の活用と、オン・セミコンダクターが三洋半導体の買収で取得したIMST技術の応用は、パワーモジュール・マーケットにおいて私たちに比類のない強みをもたらします。」「この分野における私たちの広範な製品群と能力は、革新的、知的で高度に集積化されたソリューションとともに、お客様が直面するチャレンジへ対応するために、我々をサポートします。」とオン・セミコンダクターの三洋半導体事業部門のハイブリッドIC事業部長である前原栄寿は述べています。

当社のハイブリッドIC技術の詳細については、以下を参照してください。http://semicon.sanyo.com/en/hybrid/

PCIM – オン・セミコンダクター ブース - Hall 12, Stand No. 371
オン・セミコンダクターは5月8日~10日に開催されるPCIMにおいてExhibition Centre Nuremberg 内のHall 12のStand #371で、IHクッカー、高効率モータドライバ、ソーラーインバータ向けのパワーモジュールとディスクリートIGBTについてライブで製品プレゼンテーションを実施します。

プレゼンテーション: オン・セミコンダクターのEMEAにおける再生可能エネルギー担当セールス・ディレクターのBruno Damienが、PCIMにおいて5月9日の16:00に、‘New Hybrid Technology for Solar Inverters and more Applications’ と題した論文のプレゼンテーションを行います。

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• 火曜日, 5月 08th, 2012

Power Conversion Intelligent Motion (PCIM), ニュールンベルク, ドイツ – 2012年5月5日 – エネルギー効率の高い電子機器のための高性能シリコン・ソリューションを提供する最先端のサプライヤーであるオン・セミコンダクター(Nasdaq: ONNN)は、今年のヨーロッパのPCIMショウにおいてインテリジェント・パワーモジュール(IPM)のデモンストレーションを行います。当社のブースにおいて専門家が、技術、デザイン・サポート、生産能力について説明致します。

当社の絶縁金属基板技術(IMST) と、幅広いパワー・ソリューションのポートフォリオおよび長年にわたり蓄積された高効率のパワーマネージメントにおける専門技術を組み合わせることにより、オン・セミコンダクターは革新的なインテリジェント・パワーモジュールとパワー・インバータだけでなく、デザイン・サポートと生産能力も提供致します。これらのIPMソリューションは、白物家電、ソーラーパワー、ハイブリッド自動車におけるパワー・アプリケーションのコスト効率を高めます。

オン・セミコンダクターの300W(ワット)から5kW(キロワット)の高効率なパワーモジュールの範囲の幅広いポートフォリオは、インバータ、ブーストドライバ、モータドライバを含む、他に類を見ない幅広いお客様のアプリケーションへの対応を可能にします。一連の特徴とインテリジェントな機能を融合するコンパクトな設計とフットプリントにより、お客様は最終製品において、設計の簡易化、基板スペースの節約、信頼性の向上、および部品点数とトータルコストの削減が可能です。

「先進的なパワー・ディスクリート製品の設計と製造における経験と専門知識の活用と、オン・セミコンダクターが三洋半導体の買収で取得したIMST技術の応用は、パワーモジュール・マーケットにおいて私たちに比類のない強みをもたらします。」「この分野における私たちの広範な製品群と能力は、革新的、知的で高度に集積化されたソリューションとともに、お客様が直面するチャレンジへ対応するために、我々をサポートします。」とオン・セミコンダクターの三洋半導体事業部門のハイブリッドIC事業部長である前原栄寿は述べています。

当社のハイブリッドIC技術の詳細については、以下を参照してください。http://semicon.sanyo.com/en/hybrid/

PCIM – オン・セミコンダクター ブース - Hall 12, Stand No. 371
オン・セミコンダクターは5月8日~10日に開催されるPCIMにおいてExhibition Centre Nuremberg 内のHall 12のStand #371で、IHクッカー、高効率モータドライバ、ソーラーインバータ向けのパワーモジュールとディスクリートIGBTについてライブで製品プレゼンテーションを実施します。

プレゼンテーション: オン・セミコンダクターのEMEAにおける再生可能エネルギー担当セールス・ディレクターのBruno Damienが、PCIMにおいて5月9日の16:00に、‘New Hybrid Technology for Solar Inverters and more Applications’ と題した論文のプレゼンテーションを行います。

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• 月曜日, 4月 23rd, 2012

2012年4月23日 – エネルギー効率の高い電子機器向け高性能シリコン・ソリューションを提供する最先端のサプライヤーであるオン・セミコンダクター (Nasdaq: ONNN) は、2012年5月2日水曜日の市場取引終了後に、2012年3月30日を期末とする第1四半期の決算を発表する予定です。

オン・セミコンダクターは、決算発表に続いて5月2日午後4:30時(東部標準時間)にカンファレンスコールを開催します。投資家および関係者がカンファレンスコールへアクセスする方法は以下の通りです。

• ウェブキャスト:弊社ウェブサイトhttp://www.onsemi.jp.の「投資家」セクションからカンファレンスコールのライブ・ウェブキャストにアクセスできます。再放送はライブ放送の約1時間後から30日間、同サイトで視聴いただけます。

• テレカンファレンス:決算報告書のテレフォン・カンファレンスには、888-546-9664(米国/カナダ)または973-935-8144(米国/カナダ以外)をダイヤルしてアクセスできます。このカンファレンスコールに参加するには、Conference ID Number(74337898)を入力する必要があります。

• テレカンファレンスの再生:ライブ放送の約1時間後から2012年5月9日までダイヤルインによる再生を提供します。テレカンファレンスの再生をお聴きいただくには、855-859-2056(米国/カナダ)または404-537-3406(米国/カナダ以外)に電話をおかけください。Conference ID Number(74337898)の入力が求められます。

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• 月曜日, 4月 23rd, 2012

2012年4月23日 – エネルギー効率の高い電子機器向け高性能シリコン・ソリューションを提供する最先端のサプライヤーであるオン・セミコンダクター (Nasdaq: ONNN) は、2012年5月2日水曜日の市場取引終了後に、2012年3月30日を期末とする第1四半期の決算を発表する予定です。

オン・セミコンダクターは、決算発表に続いて5月2日午後4:30時(東部標準時間)にカンファレンスコールを開催します。投資家および関係者がカンファレンスコールへアクセスする方法は以下の通りです。

• ウェブキャスト:弊社ウェブサイトhttp://www.onsemi.jp.の「投資家」セクションからカンファレンスコールのライブ・ウェブキャストにアクセスできます。再放送はライブ放送の約1時間後から30日間、同サイトで視聴いただけます。

• テレカンファレンス:決算報告書のテレフォン・カンファレンスには、888-546-9664(米国/カナダ)または973-935-8144(米国/カナダ以外)をダイヤルしてアクセスできます。このカンファレンスコールに参加するには、Conference ID Number(74337898)を入力する必要があります。

• テレカンファレンスの再生:ライブ放送の約1時間後から2012年5月9日までダイヤルインによる再生を提供します。テレカンファレンスの再生をお聴きいただくには、855-859-2056(米国/カナダ)または404-537-3406(米国/カナダ以外)に電話をおかけください。Conference ID Number(74337898)の入力が求められます。

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• 金曜日, 4月 20th, 2012

米国アリゾナ州フェニックス – 2012年4月20日 - オン・セミコンダクター・コーポレーション(Nasdaq: ONNN)は本日、2024年償還のゼロ・クーポン上位劣後転換社債シリーズB(CUSIP番号682189AE5)(「本社債」)の残高である元本総額9,620万ドルに対する償還を発表しました。オン・セミコンダクターは、手元流動性資産を使用して、社債の元本金額約9,620万ドル(額面価格)を償還しました。

オン・セミコンダクターの上級副社長兼CFOのDonald Colvinは次のように語っています。「オン・セミコンダクターの元本総額約9,620万ドルのゼロ・クーポン上位劣後転換社債の償還を発表させていただきます。」「今回の償還によって、本社債に伴う今後の株式の希薄化の可能性が排除されます。」

この資料には、1995年米国私募証券訴訟改革法の意義の範囲内における「将来の見通しに関する記述」が含まれています。記載内容のうち歴史的事実を除くすべての記述は、将来の見通しに関する記述であり、特にオン・セミコンダクターの将来の財務業績に関する記述がこれに該当します。これらの将来の見通しに関する記述は、しばしば「確信しています」「予測します」「推測します」「見込みです」「可能性があります」「予定です」「つもりです」「計画しています」「予期しています」といった予測的な単語を伴う記述や、戦略、計画、意図に関する記述で表現されます。こうした将来の見通しに関する記述は、この資料の発行日において当社が知り得た情報および現在の見込み、予測、仮定に基づくもので、リスク、不確実性、その他の要因を含んでいるため、実際の結果は、将来の見通しに関する記述に示している業績と大きく異なる可能性があります。このような要素としては、当社の収益および業績、経済状況および市況(現在の信用および財務状況を含む)の悪化、為替レート変動の影響、半導体産業の周期性、当社の製品に対する需要の変化、当社の顧客および代理店の在庫の変化、技術および製品の開発リスク、当社の知的所有権の実施と保護および関連リスク、原料の入手可能性、電気・ガス・水・その他のサプライ・チェーンの不確実性、当社顧客に対する供給継続性を維持するために他の施設に製造を効率的に移行する当社の能力、半導体製品に対する変動需要および積極的な価格設定環境、当社の現行製品をコスト効率よく許容品質で量産する当社の能力、競合製品の発表による悪影響を含む競合他社の行動、価格および粗利益率の圧力、重要な顧客の喪失、注文の取消しや予約注文の縮小、製造歩留まりの変化、コストと支出の抑制および再編と相乗効果によるコスト削減の達成、重要な訴訟、将来の必要性に備えて現金を保有するのではなく、債務の返済や買収などの様々な用途のための手元資金を増加させる決定に関連するリスク、買収および譲渡に関連するリスク(三洋半導体などの最近買収した事業の統合と連結、および証券取引委員会への適時な財務情報の提出、および三洋半導体などの最近買収した事業の将来的な財務実績を正確に予測する上で遭遇する困難を含む)、当社のその時々の債務協定における実質的レバレッジおよび制限約款に関連するリスク、海外での雇用および労働組合や団体交渉協約に関連する労働問題を含む、国際的経営活動そして当社の経営や金融/財務に影響を及ぼす人災や、タイの洪水あるいは日本での地震や津波のような自然災害に関連するリスク、国際的武力紛争や米国内外におけるテロ活動の脅威または発生、企業統治および情報公開基準の新しい規制(2002 年米国企業改革法第404条への準拠を含む)に関連するリスクやコスト、新しい法的要件および環境またはその他の行政法規制に関するリスクがあります。将来の見通しに関する記述が実際の業績と大きく異なり得る他の要素に関する情報は、証券取引委員会に提出済みのオン・セミコンダクターの2011年12月を期末とするForm 10-K(年次報告書)、Form 10-Q(四半期報告書)、Form 8-K(最新報告書)、およびその他のSECファイリングに記載されています。これらのトレンド、リスク、または不確実性が実際に起こるか継続する場合は、当社の事業、財務状況、または業績が大きな影響を受ける可能性があり、当社株の株価が下落し、投資家が投資額の全額または一部を失う可能性があります。将来の見通しに関する記述に過度の信頼を置かないよう、ご注意ください。これらの将来の見通しに関する記述は、今後の任意の日付における当社の見解を表すものであり、当てにしてはなりません。また当社はこれらの記述を作成日以降の出来事や状況を反映して更新する、いかなる義務も負わないものとします。

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• 金曜日, 4月 20th, 2012

米国アリゾナ州フェニックス – 2012年4月20日 - オン・セミコンダクター・コーポレーション(Nasdaq: ONNN)は本日、2024年償還のゼロ・クーポン上位劣後転換社債シリーズB(CUSIP番号682189AE5)(「本社債」)の残高である元本総額9,620万ドルに対する償還を発表しました。オン・セミコンダクターは、手元流動性資産を使用して、社債の元本金額約9,620万ドル(額面価格)を償還しました。

オン・セミコンダクターの上級副社長兼CFOのDonald Colvinは次のように語っています。「オン・セミコンダクターの元本総額約9,620万ドルのゼロ・クーポン上位劣後転換社債の償還を発表させていただきます。」「今回の償還によって、本社債に伴う今後の株式の希薄化の可能性が排除されます。」

この資料には、1995年米国私募証券訴訟改革法の意義の範囲内における「将来の見通しに関する記述」が含まれています。記載内容のうち歴史的事実を除くすべての記述は、将来の見通しに関する記述であり、特にオン・セミコンダクターの将来の財務業績に関する記述がこれに該当します。これらの将来の見通しに関する記述は、しばしば「確信しています」「予測します」「推測します」「見込みです」「可能性があります」「予定です」「つもりです」「計画しています」「予期しています」といった予測的な単語を伴う記述や、戦略、計画、意図に関する記述で表現されます。こうした将来の見通しに関する記述は、この資料の発行日において当社が知り得た情報および現在の見込み、予測、仮定に基づくもので、リスク、不確実性、その他の要因を含んでいるため、実際の結果は、将来の見通しに関する記述に示している業績と大きく異なる可能性があります。このような要素としては、当社の収益および業績、経済状況および市況(現在の信用および財務状況を含む)の悪化、為替レート変動の影響、半導体産業の周期性、当社の製品に対する需要の変化、当社の顧客および代理店の在庫の変化、技術および製品の開発リスク、当社の知的所有権の実施と保護および関連リスク、原料の入手可能性、電気・ガス・水・その他のサプライ・チェーンの不確実性、当社顧客に対する供給継続性を維持するために他の施設に製造を効率的に移行する当社の能力、半導体製品に対する変動需要および積極的な価格設定環境、当社の現行製品をコスト効率よく許容品質で量産する当社の能力、競合製品の発表による悪影響を含む競合他社の行動、価格および粗利益率の圧力、重要な顧客の喪失、注文の取消しや予約注文の縮小、製造歩留まりの変化、コストと支出の抑制および再編と相乗効果によるコスト削減の達成、重要な訴訟、将来の必要性に備えて現金を保有するのではなく、債務の返済や買収などの様々な用途のための手元資金を増加させる決定に関連するリスク、買収および譲渡に関連するリスク(三洋半導体などの最近買収した事業の統合と連結、および証券取引委員会への適時な財務情報の提出、および三洋半導体などの最近買収した事業の将来的な財務実績を正確に予測する上で遭遇する困難を含む)、当社のその時々の債務協定における実質的レバレッジおよび制限約款に関連するリスク、海外での雇用および労働組合や団体交渉協約に関連する労働問題を含む、国際的経営活動そして当社の経営や金融/財務に影響を及ぼす人災や、タイの洪水あるいは日本での地震や津波のような自然災害に関連するリスク、国際的武力紛争や米国内外におけるテロ活動の脅威または発生、企業統治および情報公開基準の新しい規制(2002 年米国企業改革法第404条への準拠を含む)に関連するリスクやコスト、新しい法的要件および環境またはその他の行政法規制に関するリスクがあります。将来の見通しに関する記述が実際の業績と大きく異なり得る他の要素に関する情報は、証券取引委員会に提出済みのオン・セミコンダクターの2011年12月を期末とするForm 10-K(年次報告書)、Form 10-Q(四半期報告書)、Form 8-K(最新報告書)、およびその他のSECファイリングに記載されています。これらのトレンド、リスク、または不確実性が実際に起こるか継続する場合は、当社の事業、財務状況、または業績が大きな影響を受ける可能性があり、当社株の株価が下落し、投資家が投資額の全額または一部を失う可能性があります。将来の見通しに関する記述に過度の信頼を置かないよう、ご注意ください。これらの将来の見通しに関する記述は、今後の任意の日付における当社の見解を表すものであり、当てにしてはなりません。また当社はこれらの記述を作成日以降の出来事や状況を反映して更新する、いかなる義務も負わないものとします。

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• 木曜日, 3月 29th, 2012

アリゾナ州フェニックス – 2012年3月29日 – エネルギー効率の高い電子機器のための高性能シリコン・ソリューションを提供する最先端のサプライヤーであるオン・セミコンダクター・コーポレーション(Nasdaq: ONNN)は本日、テレサM.レッセル氏とバーナードL.ハン氏が同社の取締役会に加入したことを発表しました。同取締役会はレッセル氏を同取締役会の監査委員にも任命しました。さらに、現在オン・セミコンダクターの取締役を務めている阿部敦氏が監査委員兼補償委員に任命されました。

オン・セミコンダクターの取締役会の会長を務めるダン・マクラニーは次のように述べています。「当社の取締役会に加わったテレサ・レッセルとバーナード・ハンは傑出した人材です。」「テレサは、民間と公共の両部門で果たしてきた経営者および指導者としての役割から得た、財務、コーポレート・ガバナンス、および規制に関する貴重な経験を持ちこみます。」「バーナードは現在、25,000人以上の従業員を抱える組織の最高執行責任者を務めており、また実証済みの指導力と財務知識を誇る素晴らしい経歴を持っています。」「このような彼の職位と経歴は、当社の取締役会にとって大きな力になることでしょう。」「この2人の新取締役は、当社が引き続き世界各地において高性能でエネルギー効率の高いシリコン・ソリューションの最先端のサプライヤーになるというビジョンの実現に向けて全社一丸となって取り組む上で貴重な人材です。」

テレサM.レッセル氏は、2004年から本年の初めまで、UBS投資銀行の重役を務めていました。レッセル氏は同投資銀行に米州グループ最高執行責任者(COO)として入社し、2007年にはUBSのブローカー/ディーラー事業に対して責任を有するUBS Securities LLCの最高経営責任者 (CEO) にも任命されました。これらの役職において、米州全域での銀行業務はもとより、米国およびカナダを対象とする、監督、規制、コンプライアンス、およびロジスティクスに関する広範囲の職務も管理していました。また、2001年から2004年まで米国財務省にも勤務していました。同氏は、米国上院により、米国財務省の第9代運営担当次官補として承認されると共に、大統領指令により最高財務責任者に指名され、財務省で両方の役職を務めました。1994年から2000年の間に、Kaiser Permanente (KP)社の副社長および上席副社長を歴任しました。KP社でのさまざまな立場で、社内監査プログラムおよび社内環境衛生安全プログラム担当副社長、副社長兼最高コンプライアンス責任者、ならびにeコマース担当上席副社長兼最高執行責任者を歴任しました。1990年から1994年までは、最初にカリフォルニア州パロ・アルトにあるヒューレット・パッカード社のコーポレート製造グループ、その後ヒューレット・パッカード・アジア・パシフィック・リミテッドで、コーポレート・プログラム・マネージャを務めました。2009年からはコネチカット大学医療センターの評議員を務めています。レッセル氏は、レンセラー・ポリテクニック・インスティチュートでMBA、デラウェア大学でエンジニアリングの学士号(BS)および修士号(MS)を取得しています。

レッセル氏は、金融業界で豊富な経験を積むと共に、エンジニアリングでの技術バックグラウンドも持っています。金融業界および非金融業界における上級管理者として、財務諸表の作成や、民間および政府の両部門における規制上および非規制上のコンプライアンスに関して幅広い経験を持っています。さらに、当社の取締役会で幅広い国際経験を生かします。また、エンド・ユーザ市場参加の知識もあります。

バーナードL.ハン氏は、2009年4月よりDISH Network Corporationの最高執行責任者を務め、同社のすべての事業および情報技術業務に責任を負っています。ハン氏は、2006年9月から2009年4月までDISH Network社の取締役副社長兼最高財務責任者(CFO)を、また2006年から2007年まで最高情報責任者を歴任しました。また、DISH Network社とEchoStar Corporationとの間の経営サービス契約に基づき、2008年1月から2010年6月までEchoStar社の取締役副社長兼CFOを務めています。2002年10月から2005年5月までは、ノースウェスト航空株式会社の取締役副社長兼最高財務責任者を務めました。ハン氏は、2002年にアメリカ・ウェスト航空社の取締役副社長兼最高財務責任者を務めた後、同年にノースウェスト航空社に移りました。アメリカ・ウェスト航空社に在職中、1996年から2001年にかけて、その他の上級レベルの販売、マーケティング、および財務計画に関わる役職を歴任しました。アメリカ・ウェスト航空社に入社する前の1991年から1995年までの間に、ノースウェスト航空社において多くの取締役および財務管理者の職位を歴任しました。ハン氏はコーネル大学のMBA、電気工学修士号、およびBSの取得者です。

ハン氏は、さまざまな公営企業の最高業務責任者および最高財務責任者としての経験を経て、強力な財務および業務のバックグラウンドを持っています。また、多様な企業機能にまたがる戦略立案および一般的経営に関する貴重な経験も備えています。

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• 木曜日, 3月 29th, 2012
Low Quiescent Current Switches for High-Speed Interfaces

米国アリゾナ州フェニックス – 2011年3月29日 – エネルギー効率の高い電子機器のための高性能シリコン・ソリューションを提供する最先端のサプライヤーであるオン・セミコンダクター(Nasdaq: ONNN)は、PCI Express 3.0およびDisplayPort 1.2 I/O信号などの高周波信号用に、単極双投(SPDT)スイッチ構成を持つ2個の新しいマルチチャネル差動スイッチングICを発表しました。ターゲット・アプリケーションには、ノートブック・コンピュータ、ディスクトップ・コンピュータ、サーバ、およびネットワーク・ストレージ機器があります。

NCN3612Bは、広い帯域幅により毎秒8ギガビット(Gbps)のデータ転送をサポートする6チャネル差動SPDTスイッチです。オン状態キャパシタンス(CON)が2.1pF(標準)、オン状態抵抗(RDSON)が8オーム(Ω)(標準)です。NCN3612Bは同様に8 Gbps動作をサポート可能な4チャネル差動スイッチ、NCN3411で補完されます。NCN3411のCONは2pF(標準)、RDSONは7.5 Ω(標準)です。これらの特性により、2個の新しいデバイスはPCI Express 3.0およびDisplayPort 1.2 I/O信号の伝達に最適です。

オン・セミコンダクターのインタフェースおよび電源製品担当ディレクタThibault Kassirは、次のように語っています。「NCN3612BおよびNCN3411は、本質的にCON値およびRDSON値が低いため、高速データ・エッジ・レートと低い挿入損失の両方の特性を兼ね備えています。」 「その結果、これらのデバイスは現在システム・デザインに対して規定されている最新の高速インタフェース規格をサポートするのに必要なシグナル・インテグリティ・レベルを提供します。」

NCN3612Bは電源電圧範囲が3~3.6 V、電源電流が250 µA(標準)、NCN3411は電源電圧範囲が1.5 V~2.0 V、電源電流は200 µAです。これらの新しいデバイスの動作周囲温度範囲は-40~+85℃です。

パッケージと価格

NCN3612Bは、鉛フリーの56ピンWQFN (5 mm x 11 mm x 0.75 mm)パッケージで提供され、2,000個注文時の単価は1.30ドルです。NCN3411は、鉛フリーの42ピンWQFN (3.5 mm x 9 mm x 0.75 mm)パッケージで提供され、2,000個注文時の単価は1.15 USドルです。

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