Archive for ◊ 5月, 2010 ◊

• 月曜日, 5月 31st, 2010
新型スポットライト 「SUPERSOLR 1004SR/e」の販売を開始
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• 土曜日, 5月 29th, 2010
業界初、1GHzのデータ・コンバータ信号を8ビットの直線性で駆動する差動アンプ「ADA4960-1」
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• 金曜日, 5月 28th, 2010
アナログ・デバイセズ株式会社、「おススメ製品」プログラムを拡充
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• 金曜日, 5月 28th, 2010
「LEDIU LED電球 ミニレフランプ形」の販売を開始
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• 木曜日, 5月 27th, 2010
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• 木曜日, 5月 27th, 2010
株式会社富士通研究所は、C帯、X帯、Ku帯の3帯域である6~18ギガヘルツという広帯域で動作し、従来比2倍となる12.9ワットの世界最高出力を有する窒化ガリウム(GaN)高電子移動度トランジスタ(HEMT)増幅器の開発に成功しました。
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• 木曜日, 5月 27th, 2010
株式会社富士通研究所は、C帯、X帯、Ku帯の3帯域である6~18ギガヘルツという広帯域で動作し、従来比2倍となる12.9ワットの世界最高出力を有する窒化ガリウム(GaN)高電子移動度トランジスタ(HEMT)増幅器の開発に成功しました。
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• 木曜日, 5月 27th, 2010
株式会社富士通研究所は、C帯、X帯、Ku帯の3帯域である6~18ギガヘルツという広帯域で動作し、従来比2倍となる12.9ワットの世界最高出力を有する窒化ガリウム(GaN)高電子移動度トランジスタ(HEMT)増幅器の開発に成功しました。
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• 木曜日, 5月 27th, 2010
株式会社富士通研究所は、C帯、X帯、Ku帯の3帯域である6~18ギガヘルツという広帯域で動作し、従来比2倍となる12.9ワットの世界最高出力を有する窒化ガリウム(GaN)高電子移動度トランジスタ(HEMT)増幅器の開発に成功しました。
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• 木曜日, 5月 27th, 2010
株式会社富士通研究所は、C帯、X帯、Ku帯の3帯域である6~18ギガヘルツという広帯域で動作し、従来比2倍となる12.9ワットの世界最高出力を有する窒化ガリウム(GaN)高電子移動度トランジスタ(HEMT)増幅器の開発に成功しました。
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